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☞고대역폭 메모리와 하이브리드본딩 HBM은 D램을 수직으로 쌓아 올린 고성능 메모리 반도체를 말한다.

세대를 거듭할수록 단수가 높아지는 게 특징이다.

현재는 D램과 D램 사이에 전기 신호를 보내는 돌기(범프)를 넣어 이어 붙이는 방식을 쓴다.

하지만 차세대 제품부터 HBM 높이의 물리적 한계를.

HBM3보다 2배 많은 D램과 기존 수직연결 칩들이 하이브리드본딩으로 바뀌고 베이스 다이도 고객사 맞춤형 로직칩으로 바뀌면서 핵심 요소인 파운드리 5nm 및 4nm 공정의 생산 협력구도를 지켜봐야 할 것이다.

최근 빅테크 기업들도 칩 제조와 공급망 구축을 크게 재편할 것으로 예상된다.

10일 반도체업계에 따르면 삼성전자는 2026년 양산을 목표로 한HBM4E(7세대)부터 기존 열압착 비전도성접착필름(TC-NCF) 대신 새로운 접합 기술인 카파 투 카파본딩(Copper to Copper Bonding)을 적용할 예정이다.

삼성전자는 12단HBM3E(5세대) 제품까지 TC-NCF 기술을 적용했다.

이 공정은 반도체 사이에 NCF를.

곽 CEO는 "SK하이닉스는 차세대HBM4에 자사의 고성능 패키지 기술인 어드밴스드 MR-MUF 기술과 함께 하이브리드본딩기술을 적용할 계획이다"라고 밝혔다.

곽 CEO는 "우리는HBM3E 16단을 통해 고객들에게 지금보다 더 많은 가치를 제공할 준비가 돼 있다"라며, SK하이닉스가 차세대 AI 메모리 시장에서.

로드맵에 따르면, 하이브리드본딩기술은HBM4E부터 활용된다.

앞서 SK하이닉스는 기존 MR-MUF 기술과 하이브리드본딩방식을HBM4에 병행 사용하겠다고 발표한 바 있는데, 이번에 하이브리드본딩도입 시점을 구체적으로 공개한 것이다.

이날 이 부사장은 20단 이상으로 추정되는 8세대HBM5에서부터.

SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리(HBM4E)부터 '하이브리드본딩'을 적용한다.

하이브리드본딩은 D램 위·아래를 구리로 직접 연결하는 기술이다.

현HBM에 사용 중인 마이크로 범프(솔더 볼)와 접합 소재가 필요하지 않아 반도체 업계 큰 변화를 몰고 올 전망이다.

이강욱 SK하이닉스 부사장은 5일부터.

연구과제 책임자인 문정탁 상무는 "최근HBM시장의 고속성장과 관심이 나타내듯 반도체 내 패키징은 단순한 제품 보호역할을 넘어 제품의 가치를 상승시킬 수 있는 중요한 기술로 거듭나고 있다"며 "반도체 패키징 소재를 제조하고 있는 엠케이전자는 80~90년대 국내 최조본딩와이어 국산화로 세계.

당장HBM4부터는 마이크로 범프를 없애 두께를 획기적으로 줄이고 발열을 잡는 '하이브리드본딩'을 적용해 전세를 역전시키려 하고 있습니다.

[김형준 차세대지능형반도체사업단장 : 하이브리드본딩을 먼저 하는 곳이 굉장히 유리하다.

마이크로 범프가 없기 때문에 같은 높이에 더 많은 디램을 많이.

또HBM4부터 하이브리드본딩을 전격 도입할 것으로 알려졌다.

이는 범프 없이 구리로 칩을 쌓아, 칩 사이즈를 줄이고 성능을 높이는 공정이다.

SK하이닉스도HBM3E에서 입증된 '어드밴스드 MR-MUF'를 활용할 예정이다.

이 기술은 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위한 공정으로HBM.

또HBM4부터 하이브리드본딩을 전격 도입할 것으로 알려졌다.

이목지구 디에트르

이는 범프 없이 구리로 칩을 쌓아, 칩 사이즈를 줄이고 성능을 높이는 공정이다.

SK하이닉스도HBM3E에서 입증된 '어드밴스드 MR-MUF'를 활용할 예정이다.

이 기술은 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위한 공정으로HBM.